Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров
Презентация: Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров.В основе работы полупроводниковых светоизлучающих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную область структуры электронно-дырочным гомо- или гете-ропереходом; излучательная рекомбинация инжектированных носителей в активной области структуры. Явление инжекции неосновных носителей служит основным механизмом введения неравновесных носителей в активную область структуры светоизлучающих диодов . Когда в полупроводнике создается р—n-переход, то носители в его окрестностях распределяются таким образом, чтобы выровнять уровень Ферми.
语言:
russian
文件:
PPTX, 2.49 MB
IPFS:
,
russian0
Litres
想添加您的书店？ 通过 support@z-lib.fm 与我们联系
转换文件
更多搜索结果
其他特权 
![Петропавловский В. М. — Учебное пособие по дисциплине «Фемтосекундная оптика и фемтотехнологии». [Ч. 1]](https://s3proxy.cdn-zlib.se/covers200/collections/genesis/7abac84ccb1b681dcff97593f7cba9c4756029d037c1c0f1156c2ebc50d7aef8.jpg)
