Модифицирование и легирование поверхности лазерными,...

Main
Physics
Модифицирование и легирование...

Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Поут Дж.М. (ред)

0 / 0

你有多喜欢这本书？

下载文件的质量如何？

下载该书，以评价其质量

下载文件的质量如何？

种类:

年:

1987

语言:

russian

页:

425

文件:

DJVU, 6.50 MB

IPFS:

,

russian, 1987

线上阅读

正在转换

转换为失败

您可能会感兴趣

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Арифов У. — Сорбционные процессы при взаимодействии заряженных частиц с поверхностями твердых тел [Текст]

Поут Дж., Ту К., Мейер Дж.(Poate J.M., Tu K.N., Mayer J.W.) — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Реньян В.Р. — Технология полупроводникового кремния

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Под ред. Дж.М. Поута и др.; Пер. с англ. Н.К. Мышкина и др.; Под ред. А.А. Углова — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. — Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Бериш Р. (ред) — Распыление твердых тел ионной бомбардировкой.

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский Е.А., Коваль А.Г., Мельничук И.А., Борисов А.Г., Бажин А.И., Рыжов В.Н., Дробнич В.Г., Медведев С.Ю., Поп С.С., Есаулов В.А., Петухов В.П., Мирахмедов М.Н., Шароди И.С., Бандурин Ю.А., Белых Л.С., Дащенко А.И., Грицына В.В. И др. — Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции 5-8 октября 1995 г. Том 2

Гуров К.П. и др. — Диффузия и кинетика фазовых превращений в металлах и сплавах.

Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. — Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов

Поут Дж. и др. — Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции

Гасанов И.С. — Плазменная и пучковая технология

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Плешивцев Н.В. — Катодное распыление

Зятьков И.И., Юрченко Е.П. — Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем

Тетельбаум Д.И., Менделева Ю.А. — Наноструктурирование кремния ионными пучками

Пранявичюс Л., Дудонис Ю. — Модификация свойств твёрдых тел ионными пучками

Удовиченко С.Ю. — Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро - и наноэлектроники. Часть 3-я

Бобыль А.В., Карманенко С.Ф. — Физико-химические основы технологии полупроводников

— Вторая конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. г. Москва, 23-25 октября 1972 г

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Рейви К. — Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Колобов Н.А., Самохвалов М.М. — Диффузия и окисление полупроводников

Парфенов В.В., Болтакова Н.В., Тагиров Л.Р., Степанов А.Л., Хайбуллин Р.И. — Определение размеров металлических наночастиц из спектров плазмонного резонанса

Бажин А.И. Плешивцев Н.В., — Физика воздействия ионных пучков на материалы

Земсков В.С. — Легированные полупроводниковые материалы

Bayazitov R., Batalov R., Nurutdinov R., Shustov V., Gaiduk P., Dezsi I., Kotai E. — Распределение железа имплантированного в кремний при действии мощного ионного пучка и лазерного излучения

Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. — Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Бургер Р., Донован Р. (ред.) — Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Габович М.Д., Плешивцев Н.В., Семашко Н.Н. — Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей

Случинская И.А. — Основы материаловедения и технологии полупроводников

关键词

поверхности

имплантации

скорости

скорость

дефектов

концентрации

диффузии

температуры

перекристаллизации

облучения

температуре

плавления

имплантация

зависимости

концентрация

лазерного

примесей

зависимость

образования

распыления

энергией

значения

образование

показано

происходит

результаты

облучении

результате

алюминия

коэффициент